13286885940 (王先生)
13262995105（吴先生）
13916985299 (姚小姐）
TH521-35-1800半导体参数分析仪简介：
TH521-35-1800半导体参数分析仪是一款用于电路设计的综合解决方案，可帮助电力电子电路设计人员选择适合自身应用的功率器件，让其电力电子产品发挥*大价值。它可以评测器件在不同工作条件下的所有相关参数，包括IV参数（击穿电压和导通电阻）、三端FET电容、栅极电荷和功率损耗。用于电路设计的TH521系列半导体参数分析仪具有完整的曲线追踪仪功能以及其他功能。
TH521系列半导体参数分析仪特性：
TH521 的常规特性
• 高达 3.5kV/1800A的宽广工作范围
• 从 -50 °C 到 +250 °C 的全自动快速热测试
• 自动创建功率器件（半导体和元器件）的技术资料
• 自动记录功能可防止数据丢失
• AI辅助编写python测试脚本
TH521 IV 套件特性
• 可对封装和晶圆上器件进行全自动快速 IV 测量 （Ron、BV、泄漏、Vth、Vsat 等）
• 窄 IV 脉冲宽度（*窄 10 μs）可防止器件自发热，更准确地测试器件实 际性能
• 示波器视图（时域视图）可以监测实际电压/电流脉冲波形，以便进行准 确测量
• 配置可以灵活扩展，添加 CV 和 Qg，将电流范围从20 A扩展到 200A、 600 A 或1800 A
TH521 套件的完整特性
• IV 套件的全部特性
• 测量封装器件在 3.5 kV 时的晶体管输入、输出和反向传输电容
（Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres）以及栅极电阻（Rg）
• 测量封装器件的栅极电荷（Qg）曲线
• 计算功率损耗（传导、驱动和开关损耗）
TH521系列半导体参数分析仪技术参数：
MCSMU
电压范围、分辨率和精度
电压量程
输出/测量分辨率
输出/测量精度（% + mV + mV）
*大电流
200mV
100nV
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05)
1A
2V
1μV
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)
20V
10μV
±(0.06 + 3 + Io x 5)
40V
40μV
±(0.06 + 3 + Io x 10)
电流范围、分辨率和精度
输出/测量精度（%+A+A）
*高电压
10μA
10pA
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10)
30V
100μA
100pA
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9)
1mA
1nA
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8)
10mA
10nA
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7)
100mA
100nA
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6)
1uA
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5)
典型分辨率
6½位
*大电压
±30V
*小电流
脉冲*大占空比
5%（峰值超过100mA时）
脉冲*小宽度
10μs
脉冲*大宽度
100ms（峰值超过100mA时）
直流*大电流
±100mA
脉冲*大峰值
±1A
脉冲*大基值
±50mA（峰值超过100mA时）
HCSMU
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05)
20A
1μA
20μA
±(0.4 + 2E-3+Vo x 1E-4)
±40V
1%（峰值超过1A时）
50μs
1ms（峰值超过1A时）
±20A
±100mA（峰值超过1A时）
MPSMU
100mV
1V
10V
100V
100μV
±(0.012 + 2.5 + Io x 10)
20mA(≥40V)
50mA(≤40V)
1fA
±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15)
10fA
±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14)
100fA
±(0.05 + 2E-11 + Vo x 1E-13)
1pA
±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12)
±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11)
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10)
±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9)
±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8)
±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7)
±100V
HVSMU
输出/测量精度±(%+mV)
200V
200uV
±(0.03+40)
500V
500uV
±(0.03+100)
1500V
1.5mV
±(0.03+300)
3500V
3.5mV
±(0.03+600)
5mA
±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12)
±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12)
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11)
±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9)
1750V
±3500V
UHCU
60V
±(0.2+10)
200A
200μA
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)
600A
500μA
1800A
2mA
±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo)
0.4%（600A量程）；0.1%（1800A量程）
1ms（600A量程）；500μs（1800A量程）
200A、600A、1800A量程
MFCMU
频率
频率范围
1kHz~10MHz
*小频率分辨率
1mHz
频率精度
±0.05%
AC电平
电平范围
0~250mV
分辨率
0.1mVrms
精度
±(10%*设定值+2mV)
DC偏置
范围
0~±25V
1mV
准确度
1%*设定电压+8mV
输出阻抗
100Ω
测试端配置
四端对
测试时间
快速2.5ms中速90ms慢速220ms
电容
显示范围
0.00001pF~9.99999F
*高准确度
0.05%
TH521系列半导体参数分析仪选型表：
TH521-35-20
IV: 3500V/20A
TH521-35-20C
IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg
TH521-35-200
IV: 3500V/200A
TH521-35-200C
IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg
TH521-35-600
IV: 3500V/600A
TH521-35-600C
IV: 3500V/600A, CV: 10MHz, Qg
TH521-35-1800
IV: 3500V/1800A
TH521-35-1800C
IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg
TH521-35-1800半导体参数分析仪应用：
• 半导体功率器件
二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析
• 半导体材料
晶圆切割、C-V特性分析
• 液晶材料
弹性常数分析、液晶切割
• 电容元件
电容器C-V特性测试及分析，电容式传感器测试分析
沪公网安备 31010102004821号
