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同惠TH521-02-1800C 功率器件分析仪

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产品名称: 同惠TH521-02-1800C 功率器件分析仪
产品型号:
产品展商: 常州同惠
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简单介绍

该系列功率器件分析仪是一款用于电路设计的综合解决方案，可帮助电力电子电路设计人员选择适合自身应用的功率器件，让其电力电子产品发挥*大价值。它可以评测器件在不同工作条件下的所有相关参数，包括IV参数（击穿电压和导通电阻）、三端F ET电容、栅极电荷和功率损耗。用于电路设计的该系列功率器件分析仪具有完整的曲线追踪仪功能以及其他功能。


同惠TH521-02-1800C 功率器件分析仪  的详细介绍

产品特点

TH521-02-20 IV: 200V/20A TH521-35-20 IV: 3500V/20A
TH521-02-20C IV: 200V/20A, CV: 10MHz, Qg TH521-35-20C IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg
TH521-02-200 IV: 200V/200A TH521-35-200 IV: 3500V/200A
TH521-02-200C IV: 200V/200A, CV: 10MHz, Qg TH521-35-200C IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg
TH521-02-600 IV: 200V/600A TH521-35-600 IV: 3500V/600A
TH521-02-600C IV: 200V/600A, CV: 10MHz, Qg TH521-35-600C IV: 3500V/600A, CV: 10MHz, Qg
TH521-02-1800 IV: 200V/1800A TH521-35-1800 IV: 3500V/1800A
TH521-02-1800C IV: 200V/1800A, CV: 10MHz, Qg TH521-35-1800C IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg

TH521 的常规特性

•高达3.5kV/1800A的宽广工作范围

•从-50°C到+250°C的全自动快速热测试

•自动创建功率器件（半导体和元器件）的技术资料

•自动记录功能可防止数据丢失

•AI辅助编写python测试脚本

TH521 IV套件特性

•可对封装和晶圆上器件进行全自动快速IV测量（Ron、BV、泄漏、Vth、Vsat等）

•窄IV脉冲宽度（*窄10μs）可防止器件自发热，更准确地测试器件实际性能

•示波器视图（时域视图）可以监测实际电压/电流脉冲波形，以便进行准确测量

•配置可以灵活扩展，添加CV和Qg，将电流范围从20 A扩展到200A、600 A或1800 A

TH521 套件的完整特性

•IV套件的全部特性

•测量封装器件在3.5 kV时的晶体管输入、输出和反向传输电容 

（Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres）以及栅极电阻（Rg）

•测量封装器件的栅极电荷（Qg）曲线

•计算功率损耗（传导、驱动和开关损耗）


产品应用

•半导体功率器件 

二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析

•半导体材料 

晶圆切割、C-V特性分析

•液晶材料 

弹性常数分析、液晶切割

•电容元件 

电容器C-V特性测试及分析，电容式传感器测试分析


产品参数

MCSMU
电压范围、分辨率和精度
电压量程 输出/测量分辨率 输出/测量精度（% + mV + mV） *大电流
200mV 200nV ±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) 1A
2V 2μV ±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) 1A
20V 20μV ±(0.06 + 3 + Io x 5) 1A
40V 40μV ±(0.06 + 3 + Io x 10) 1A
电流范围、分辨率和精度 输出/测量分辨率 输出/测量精度（%+A+A） *高电压
10μA 10pA ±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) 30V
100μA 100pA ±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) 30V
1mA 1nA ±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) 30V
10mA 10nA ±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) 30V
100mA 100nA ±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) 30V
1A 1uA ±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) 30V
典型分辨率 6½位
*大电压 ±30V
*小电流 10pA
脉冲*大占空比 5%（峰值超过100mA时）
脉冲*小宽度 10μs
脉冲*大宽度 100ms（峰值超过100mA时）
直流*大电流 ±100mA
脉冲*大峰值 ±1A
脉冲*大基值 ±50mA（峰值超过100mA时）

MFCMU
频率范围 1kHz~10MHz
频率 *小频率分辨率 1mHz
频率精度 ±0.008%
电平范围 0~1V
AC电平 分辨率 0.1mVrms
精度 ±(10%*设定值+2mV)
范围 0~±25V
DC偏置 分辨率 1mV
准确度 1%*设定电压+8mV
输出阻抗 100Ω
测试端配置 四端对
测试时间 0.05plc~100plc(1plc=20ms)
电容 显示范围 0.00001pF~9.99999F
*高准确度 0.10%

HVSMU
电压范围、分辨率和精度
电压量程 输出/测量分辨率 输出/测量精度±(%+mV) *大电流
200V 200uV ±(0.03+40) 8mA
500V 500uV ±(0.03+100) 8mA
1500V 1.5mV ±(0.03+300) 8mA
3500V 3.5mV ±(0.03+600) 4mA
电流范围、分辨率和精度 输出/测量分辨率 输出/测量精度（%+A+A） *高电压
10nA 10fA ±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12) 3500V
1μA 1pA ±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12) 3500V
100μA 100pA ±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11) 3500V
10mA 10nA ±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9) 1500V
典型分辨率 6½位
*大电压 ±3500V
*小电流 10fA


HCSMU
电压范围、分辨率和精度
电压量程 输出/测量分辨率 输出/测量精度（% + mV + mV） *大电流
200mV 200nV ±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05) 20A
2V 2μV ±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) 20A
20V 20μV ±(0.06 + 3 + Io x 5) 20A
40V 40μV ±(0.06 + 3 + Io x 10) 1A
电流范围、分辨率和精度 输出/测量分辨率 输出/测量精度（%+A+A） *高电压
10μA 10pA ±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) 40V
100μA 100pA ±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) 40V
1mA 1nA ±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) 40V
10mA 10nA ±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) 40V
100mA 100nA ±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) 40V
1A 1μA ±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) 40V
20A 20μA ±(0.4 + 2E-3+Vo x 1E-4) 20V
典型分辨率 6½位
*大电压 ±40V
*小电流 10pA
脉冲*大占空比 1%（峰值超过1A时）
脉冲*小宽度 50μs
脉冲*大宽度 1ms（峰值超过1A时）
直流*大电流 ±1A
脉冲*大峰值 ±20A
脉冲*大基值 ±100mA（峰值超过1A时）

MPSMU
电压范围、分辨率和精度
电压量程 输出/测量分辨率 输出/测量精度（% + mV + mV） *大电流
100mV 100nV ±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) 100mA
1V 1μV ±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) 100mA
10V 10μV ±(0.06 + 3 + Io x 5) 100mA
20mA(≥40V)
100V 100μV ±(0.012 + 2.5 + Io x 10) 50mA(≤40V)
100mA(≤20V)
电流范围、分辨率和精度 输出/测量分辨率 输出/测量精度（%+A+A） *高电压
10nA 10fA ±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14) 100V
100nA 100fA ±(0.05 + 2E-11 + Vo x 1E-13) 100V
1μA 1pA ±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12) 100V
10μA 10pA ±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11) 100V
100μA 100pA ±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10) 100V
1mA 1nA ±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9) 100V
10mA 10nA ±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8) 100V
100V(≤20mA)
100mA 100nA ±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7) 40V(≤50mA)
20V(≤100mA)
典型分辨率 6½位
*大电压 ±100V
*小电流 10fA

UHCU
电压范围、分辨率和精度
电压量程 测量分辨率 输出分辨率 输出/测量精度±(%+mV)
60V 100μV 200μV ±(0.2+10)
6V(仅测量) 10μV ------ ------
电流范围、分辨率和精度 测量分辨率 输出分辨率 输出/测量精度（%+A+A）
200A 500μA 1mA ±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)
600A 500μA 1mA ±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)
1800A 2mA 4mA ±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo)
脉冲*大占空比 0.4%（600A量程）；0.1%（1800A量程）
脉冲*小宽度 10μs
脉冲*大宽度 1ms（600A量程）；500μs（1800A量程）
脉冲*大峰值 200A、600A、1800A
脉冲分辨率 2μs

HVMCU
*大输出规格
＋3500V/4mA ＋1500V/8mA
峰值输出规格
电压范围 峰值功率
±2200V 600W
±1500V 900W
电压范围、分辨率、精度
电压范围 设置分辨率 测量分辨率 设置精度1,2,3±（%+V） 测量精度1,2±（%+V）
±2200V 3mV 3mV ±（5+20） ±（0.8+1.8）
±1500V 1.5mV 3mV ±（5+20） ±（0.8+1.8）
1：测量精度：±（读数的 6% + 固定电压偏移）
2：精度定义条件：在 1.1 A 档位和 2.5 A 档位下，以 100 μs 脉冲测试；在 100 mA 档位下，以 1 ms 脉冲
3：设定精度：在开路条件下定义
电流范围、分辨率、精度1，2
电流范围 测量分辨率 测量精度1±（%+A+A）
±2.5A 4μA ±（0.9+4E-3+Vo×3E-7）
±1.1A 4μA ±（0.9+4E-3+Vo×3E-7）
±110mA 200nA ±（0.9+2E-4+Vo×3E-7）
1：当电流大于 1.1 A 时，厂家提供额外的性能说明或参数限制。
2：相关的精度或特性是在 对 20 个采样点取平均值 的条件下有效。
脉宽和分辨率
输出范围 脉宽 分辨率
1500V/2.5A 10μs-100μs 2μs
2200V/1.1A 10μs-100μs 2μs
2200V/110mA 10μs-1ms 2μs
补充特性（HVMCU充电电容0.22μF）
输出电阻范围 标称值
1500V/2.5A 600Ω
2200V/1.1A 2000Ω
2200V/110mA 20000Ω

HPSMU
电压范围、分辨率和精度
电压量程 输出 / 测量分辨率 输出 / 测量精度（% + mV + mV） *大电流
200mV 100nV ±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) 1A
2V 1μV ±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) 1A
20V 10μV ±(0.06 + 3 + Io x 5) 1A
200V 100μV ±(0.012 + 2.5 + Io x 10) 50mA
电流范围、分辨率和精度 输出 / 测量分辨率 输出 / 测量精度（%+A+A） *高电压
10nA 10fA ±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14) 200V
100nA 100fA ±(0.05 + 2E-11 + Vo x 1E-13) 200V
1μA 1pA ±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12) 200V
10μA 10pA ±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11) 200V
100μA 100pA ±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10) 200V
1mA 1nA ±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9) 200V
10mA 10nA ±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8) 200V
100mA 100nA ±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7) 200V
1A 1μA ±(0.4 + 15E-5 + Vo x 1E-6) 200V
典型分辨率 6½ 位
*大电压 ±200V
*小电流 10fA

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