產品資料

同惠TH521-02-1800 功率器件分析儀

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產品名稱: 同惠TH521-02-1800 功率器件分析儀
產品型號:
產品展商: 常州同惠
產品文檔: 無相關文檔

簡單介紹

該系列功率器件分析儀是一款用于電路設計的綜合解決方案，可幫助電力電子電路設計人員選擇適合自身應用的功率器件，讓其電力電子產品發揮*大價值。它可以評測器件在不同工作條件下的所有相關參數，包括IV參數（擊穿電壓和導通電阻）、三端F ET電容、柵極電荷和功率損耗。用于電路設計的該系列功率器件分析儀具有完整的曲線追蹤儀功能以及其他功能。


同惠TH521-02-1800 功率器件分析儀  的詳細介紹

產品特點

TH521-02-20 IV: 200V/20A TH521-35-20 IV: 3500V/20A
TH521-02-20C IV: 200V/20A, CV: 10MHz, Qg TH521-35-20C IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg
TH521-02-200 IV: 200V/200A TH521-35-200 IV: 3500V/200A
TH521-02-200C IV: 200V/200A, CV: 10MHz, Qg TH521-35-200C IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg
TH521-02-600 IV: 200V/600A TH521-35-600 IV: 3500V/600A
TH521-02-600C IV: 200V/600A, CV: 10MHz, Qg TH521-35-600C IV: 3500V/600A, CV: 10MHz, Qg
TH521-02-1800 IV: 200V/1800A TH521-35-1800 IV: 3500V/1800A
TH521-02-1800C IV: 200V/1800A, CV: 10MHz, Qg TH521-35-1800C IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg

TH521 的常規特性

•高達3.5kV/1800A的寬廣工作范圍

•從-50°C到+250°C的全自動快速熱測試

•自動創建功率器件（半導體和元器件）的技術資料

•自動記錄功能可防止數據丟失

•AI輔助編寫python測試腳本

TH521 IV套件特性

•可對封裝和晶圓上器件進行全自動快速IV測量（Ron、BV、泄漏、Vth、Vsat等）

•窄IV脈沖寬度（*窄10μs）可防止器件自發熱，更準確地測試器件實際性能

•示波器視圖（時域視圖）可以監測實際電壓/電流脈沖波形，以便進行準確測量

•配置可以靈活擴展，添加CV和Qg，將電流范圍從20 A擴展到200A、600 A或1800 A

TH521 套件的完整特性

•IV套件的全部特性

•測量封裝器件在3.5 kV時的晶體管輸入、輸出和反向傳輸電容 

（Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres）以及柵極電阻（Rg）

•測量封裝器件的柵極電荷（Qg）曲線

•計算功率損耗（傳導、驅動和開關損耗）


產品應用

•半導體功率器件 

二極管、三極管、MOSFET、IGBT、晶閘管、集成電路、光電子芯片等寄生電容測試、C-V特性分析

•半導體材料 

晶圓切割、C-V特性分析

•液晶材料 

彈性常數分析、液晶切割

•電容元件 

電容器C-V特性測試及分析，電容式傳感器測試分析


產品參數

MCSMU
電壓范圍、分辨率和精度
電壓量程 輸出/測量分辨率 輸出/測量精度（% + mV + mV） *大電流
200mV 200nV ±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) 1A
2V 2μV ±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) 1A
20V 20μV ±(0.06 + 3 + Io x 5) 1A
40V 40μV ±(0.06 + 3 + Io x 10) 1A
電流范圍、分辨率和精度 輸出/測量分辨率 輸出/測量精度（%+A+A） *高電壓
10μA 10pA ±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) 30V
100μA 100pA ±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) 30V
1mA 1nA ±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) 30V
10mA 10nA ±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) 30V
100mA 100nA ±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) 30V
1A 1uA ±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) 30V
典型分辨率 6½位
*大電壓 ±30V
*小電流 10pA
脈沖*大占空比 5%（峰值超過100mA時）
脈沖*小寬度 10μs
脈沖*大寬度 100ms（峰值超過100mA時）
直流*大電流 ±100mA
脈沖*大峰值 ±1A
脈沖*大基值 ±50mA（峰值超過100mA時）

MFCMU
頻率范圍 1kHz~10MHz
頻率 *小頻率分辨率 1mHz
頻率精度 ±0.008%
電平范圍 0~1V
AC電平 分辨率 0.1mVrms
精度 ±(10%*設定值+2mV)
范圍 0~±25V
DC偏置 分辨率 1mV
準確度 1%*設定電壓+8mV
輸出阻抗 100Ω
測試端配置 四端對
測試時間 0.05plc~100plc(1plc=20ms)
電容 顯示范圍 0.00001pF~9.99999F
*高準確度 0.10%

HVSMU
電壓范圍、分辨率和精度
電壓量程 輸出/測量分辨率 輸出/測量精度±(%+mV) *大電流
200V 200uV ±(0.03+40) 8mA
500V 500uV ±(0.03+100) 8mA
1500V 1.5mV ±(0.03+300) 8mA
3500V 3.5mV ±(0.03+600) 4mA
電流范圍、分辨率和精度 輸出/測量分辨率 輸出/測量精度（%+A+A） *高電壓
10nA 10fA ±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12) 3500V
1μA 1pA ±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12) 3500V
100μA 100pA ±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11) 3500V
10mA 10nA ±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9) 1500V
典型分辨率 6½位
*大電壓 ±3500V
*小電流 10fA

HCSMU
電壓范圍、分辨率和精度
電壓量程 輸出/測量分辨率 輸出/測量精度（% + mV + mV） *大電流
200mV 200nV ±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05) 20A
2V 2μV ±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) 20A
20V 20μV ±(0.06 + 3 + Io x 5) 20A
40V 40μV ±(0.06 + 3 + Io x 10) 1A
電流范圍、分辨率和精度 輸出/測量分辨率 輸出/測量精度（%+A+A） *高電壓
10μA 10pA ±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) 40V
100μA 100pA ±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) 40V
1mA 1nA ±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) 40V
10mA 10nA ±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) 40V
100mA 100nA ±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) 40V
1A 1μA ±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) 40V
20A 20μA ±(0.4 + 2E-3+Vo x 1E-4) 20V
典型分辨率 6½位
*大電壓 ±40V
*小電流 10pA
脈沖*大占空比 1%（峰值超過1A時）
脈沖*小寬度 50μs
脈沖*大寬度 1ms（峰值超過1A時）
直流*大電流 ±1A
脈沖*大峰值 ±20A
脈沖*大基值 ±100mA（峰值超過1A時）

MPSMU
電壓范圍、分辨率和精度
電壓量程 輸出/測量分辨率 輸出/測量精度（% + mV + mV） *大電流
100mV 100nV ±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) 100mA
1V 1μV ±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) 100mA
10V 10μV ±(0.06 + 3 + Io x 5) 100mA
20mA(≥40V)
100V 100μV ±(0.012 + 2.5 + Io x 10) 50mA(≤40V)
100mA(≤20V)
電流范圍、分辨率和精度 輸出/測量分辨率 輸出/測量精度（%+A+A） *高電壓
10nA 10fA ±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14) 100V
100nA 100fA ±(0.05 + 2E-11 + Vo x 1E-13) 100V
1μA 1pA ±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12) 100V
10μA 10pA ±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11) 100V
100μA 100pA ±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10) 100V
1mA 1nA ±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9) 100V
10mA 10nA ±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8) 100V
100V(≤20mA)
100mA 100nA ±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7) 40V(≤50mA)
20V(≤100mA)
典型分辨率 6½位
*大電壓 ±100V
*小電流 10fA

UHCU
電壓范圍、分辨率和精度
電壓量程 測量分辨率 輸出分辨率 輸出/測量精度±(%+mV)
60V 100μV 200μV ±(0.2+10)
6V(僅測量) 10μV ------ ------
電流范圍、分辨率和精度 測量分辨率 輸出分辨率 輸出/測量精度（%+A+A）
200A 500μA 1mA ±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)
600A 500μA 1mA ±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)
1800A 2mA 4mA ±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo)
脈沖*大占空比 0.4%（600A量程）；0.1%（1800A量程）
脈沖*小寬度 10μs
脈沖*大寬度 1ms（600A量程）；500μs（1800A量程）
脈沖*大峰值 200A、600A、1800A
脈沖分辨率 2μs

HVMCU
*大輸出規格
＋3500V/4mA ＋1500V/8mA
峰值輸出規格
電壓范圍 峰值功率
±2200V 600W
±1500V 900W
電壓范圍、分辨率、精度
電壓范圍 設置分辨率 測量分辨率 設置精度1,2,3±（%+V） 測量精度1,2±（%+V）
±2200V 3mV 3mV ±（5+20） ±（0.8+1.8）
±1500V 1.5mV 3mV ±（5+20） ±（0.8+1.8）
1：測量精度：±（讀數的 6% + 固定電壓偏移）
2：精度定義條件：在 1.1 A 檔位和 2.5 A 檔位下，以 100 μs 脈沖測試；在 100 mA 檔位下，以 1 ms 脈沖
3：設定精度：在開路條件下定義
電流范圍、分辨率、精度1，2
電流范圍 測量分辨率 測量精度1±（%+A+A）
±2.5A 4μA ±（0.9+4E-3+Vo×3E-7）
±1.1A 4μA ±（0.9+4E-3+Vo×3E-7）
±110mA 200nA ±（0.9+2E-4+Vo×3E-7）
1：當電流大于 1.1 A 時，廠家提供額外的性能說明或參數限制。
2：相關的精度或特性是在 對 20 個采樣點取平均值 的條件下有效。
脈寬和分辨率
輸出范圍 脈寬 分辨率
1500V/2.5A 10μs-100μs 2μs
2200V/1.1A 10μs-100μs 2μs
2200V/110mA 10μs-1ms 2μs
補充特性（HVMCU充電電容0.22μF）
輸出電阻范圍 標稱值
1500V/2.5A 600Ω
2200V/1.1A 2000Ω
2200V/110mA 20000Ω

HPSMU
電壓范圍、分辨率和精度
電壓量程 輸出 / 測量分辨率 輸出 / 測量精度（% + mV + mV） *大電流
200mV 100nV ±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) 1A
2V 1μV ±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) 1A
20V 10μV ±(0.06 + 3 + Io x 5) 1A
200V 100μV ±(0.012 + 2.5 + Io x 10) 50mA
電流范圍、分辨率和精度 輸出 / 測量分辨率 輸出 / 測量精度（%+A+A） *高電壓
10nA 10fA ±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14) 200V
100nA 100fA ±(0.05 + 2E-11 + Vo x 1E-13) 200V
1μA 1pA ±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12) 200V
10μA 10pA ±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11) 200V
100μA 100pA ±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10) 200V
1mA 1nA ±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9) 200V
10mA 10nA ±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8) 200V
100mA 100nA ±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7) 200V
1A 1μA ±(0.4 + 15E-5 + Vo x 1E-6) 200V
典型分辨率 6½ 位
*大電壓 ±200V
*小電流 10fA

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