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同惠功率器件CV特性自动系统发布
同惠功率器件CV特性自动系统简介 一．前言

         随着我国加快实现“碳达峰、碳中和”的目标，电气化替代已成为实现目标的关键。
         电气化替代是通过功率半导体把光伏、风电、特高压、新能源汽车、高铁等织成一张可循环的高效、可靠、可控能源网络 ，实现对可再生能源的高效管理和利用降低能耗、减少碳排放。
         同时功率半导体 在计算机、交通、消费电子、汽车电子 为代表的 4C 行业应用也越来越广泛。
         可以预见，随着新能源爆发式增长，在新能源汽车领域，汽车的动力系统、空调压缩机、充电桩等都需要大量功率半导体器件；风电和光伏产生的电不能直接并网，需要逆变器、变流器进行电能转化，这会新增大量的功率半导体需求。
         随着科技的发展，现有半导体材料已经经过了三个发展阶段：


          由此可见，第三代半导体展现出了高压、高频、高速、低阻的优点，其击穿电压，在在某些应用中可高到 1200-1700V。这些特点带来如下新特性：
 l  极低的内部电阻，与同类硅器件相比，效率可提高70%
l  低电阻可改善热性能(*高工作温度增加了)和散热，并可获得更高的功率密度
l  散热得到优化，与硅器件相比，就可采用更简单的封装、尺寸和重量也大大减少
l  极短的关断时间(GaN器件接近于零)，能工作于很高的开关频率，工作温度也更低
           这些特性，在功率器件尤其是MOSFET以及IGBT上面的应用*为广泛。

          其中，功率器件以MOSFET、IGBT为代表，两者均为电压控制电流型功率开关器件，MOSFET优点是驱动电路简单、开关速度快、工作频率高，IGBT是由BJT和MOSFET组合成的复合器件，兼具两者的优点：速度快、能耗低、体积小、而且大功率、大电流、高电压。 MOSFET以栅极（G）极电压控制MOSFET开关，当VGS电压大于阈值电压VGS(th) 时，MOSFET导通。 IGBT同样以栅极（G）极电压控制IGBT开关，当VGE电压大于阈值电压VGE(th) 时，IGBT导通。
           因此，在第三代半导体高速发展的同时，测量技术也面临**升级，特别是高电压、大电流、高频率测试，以及电容特性（CV）特性。
本方案用于解决MOSFET、IGBT单管器件、多个器件、模组器件的CV特性综合解决
在了解本方案之前，需先了解一下MOSFET、IGBT器件的米勒效应、CV特性等相关知识。


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