行業動態

同惠功率器件CV特性自動系統發布

同惠功率器件CV特性自動系統簡介 一.前言

         隨著我國加快實現“碳達峰、碳中和”的目標,電氣化替代已成為實現目標的關鍵。
         電氣化替代是通過功率半導體把光伏、風電、特高壓、新能源汽車、高鐵等織成一張可循環的高效、可靠、可控能源網絡 ,實現對可再生能源的高效管理和利用降低能耗、減少碳排放。
         同時功率半導體 在計算機、交通、消費電子、汽車電子 為代表的 4C 行業應用也越來越廣泛。
         可以預見,隨著新能源爆發式增長,在新能源汽車領域,汽車的動力系統、空調壓縮機、充電樁等都需要大量功率半導體器件;風電和光伏產生的電不能直接并網,需要逆變器、變流器進行電能轉化,這會新增大量的功率半導體需求。
         隨著科技的發展,現有半導體材料已經經過了三個發展階段:


          由此可見,第三代半導體展現出了高壓、高頻、高速、低阻的優點,其擊穿電壓,在在某些應用中可高到 1200-1700V。這些特點帶來如下新特性:
 l  極低的內部電阻,與同類硅器件相比,效率可提高70%
l  低電阻可改善熱性能(*高工作溫度增加了)和散熱,并可獲得更高的功率密度
l  散熱得到優化,與硅器件相比,就可采用更簡單的封裝、尺寸和重量也大大減少
l  極短的關斷時間(GaN器件接近于零),能工作于很高的開關頻率,工作溫度也更低
           這些特性,在功率器件尤其是MOSFET以及IGBT上面的應用*為廣泛。

          其中,功率器件以MOSFET、IGBT為代表,兩者均為電壓控制電流型功率開關器件,MOSFET優點是驅動電路簡單、開關速度快、工作頻率高,IGBT是由BJT和MOSFET組合成的復合器件,兼具兩者的優點:速度快、能耗低、體積小、而且大功率、大電流、高電壓。 MOSFET以柵極(G)極電壓控制MOSFET開關,當VGS電壓大于閾值電壓VGS(th) 時,MOSFET導通。 IGBT同樣以柵極(G)極電壓控制IGBT開關,當VGE電壓大于閾值電壓VGE(th) 時,IGBT導通。
           因此,在第三代半導體高速發展的同時,測量技術也面臨**升級,特別是高電壓、大電流、高頻率測試,以及電容特性(CV)特性。
本方案用于解決MOSFET、IGBT單管器件、多個器件、模組器件的CV特性綜合解決
在了解本方案之前,需先了解一下MOSFET、IGBT器件的米勒效應、CV特性等相關知識。


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