半導體器件雪崩能量測試儀TH530-25100A

■ 單通道和雙通道 N/P或組合器件測試   (MOSFET、IGBT以及二極管） 

■ 可測試高達2500V雪崩電壓、200A峰值電流等級設備 

■ 支持單脈沖雪崩測試（EAS)、重復雪崩能量測試(EAR）、 重復脈沖至失效測試(RPF) 

■ 高速校準DAC可提升測試精度 

■ 用戶可調節的電源電壓(10V至150V)穩定可靠 

■ 漏極、源極接觸檢查電路可檢測20Ω以下的接觸電阻，提 供報錯提示(LED) 

■ 可設柵極驅動電壓(*大電壓差:30V，*大電壓值:28V)適 應不同被測件所需 

■ 可在雪崩前、雪崩后進行可調值的泄漏測試、以確定被測 件當前狀態 

■ 高速固態開關、帶故障檢測功能 

■ 高精度的電流和電壓波形捕捉以及雪崩持續時間捕捉 

■  7寸24位色TF LCD電容式觸摸屏，中英文可選操作界面， 用于單機操作、輸入測試規格以及提供測試數據顯示。 

■ 提供指令用于用戶將屏幕信息存儲于U盤 

■ 儀器有開機自檢和在線自檢功能、為用戶排查儀器內部故 障問題 

■ 配備簡單自動校準程序，用戶可現場進行校準 

■ 配備多種接口:用于遠程測試控制的GPIB接口、前后面板各配備一個的高速串行接口、支持高速傳輸數據的LAN 口。 LAN口不僅可用于遠程測試控制,在用戶需要觀測即時 測試波形時，可使用 LAN口搭配上位機程序查看每一一次 的波形數據

■ 可與TH530-01 可編程電感負載箱(0.01 至159.9mH)或外部電感器配合使用 

■ 可外接示波器觸發器輸出，同步可視化雪崩測試過程，用 于準確測量雪崩時間
TH530系列雪崩測試儀是同惠電子針對于半導體器件UIS （EAS）、EAR參數測量問題的解決方案。

主要用于測量MOSFET 、IGBT 、Diode和雙極性器件（帶鉗位）的雪崩擊穿特性（電壓、能量等）。通過給被測器件施加可控制的感性能量，判斷出被測器件是否能正常吸收和承受電感釋放的能量。經過雪崩測試的器件，就可安 全地用于有反向電動勢的感性負載上。

快速選型

A. 泄漏測試:可選擇啟用

每次雪崩測試前，在柵極電壓設置為0的情況下，用戶設置的泄漏電壓會被施加到被測件上，讀取電流檢測器測量值。根據測試儀的設置，可以在雪崩測試前、測試后或測試前后對被測件進行泄漏測試。這不是測量實際漏電電流，而是確定被測件或測試夾具中是否存在短路的簡單測試。

測試儀內部的漏電穩壓器電壓可從2V設置到為被測試裝置雪崩測試設置的漏極電壓。漏電流大于1mA會被檢測為漏電故障。漏電流*大限制為 8mA。

B. 雪崩測試原理

當高速開關和被測件接通時， 漏極電流增加，到達指定的比較點時，高速開關與柵極關斷，斷開漏極電壓電源。關斷時，電感中存儲的能量會產生較高的電壓，迫使被測件（以NMOS為例）進入雪崩狀態，電流路徑由續流二極管維持。 因此，電感器中存儲的所有能量都轉移到了被測件上。此時電感上能量即為設定的可控擊穿能量，也即NMOS的雪崩能量（EAS）。

C. 測試結果波形

TH530可捕捉被測設備的電壓和電流波形，測試儀可將波形保存到測試結果文件中，在顯示屏幕上用戶*多可查看*近四次的波形數據。

為便于用戶查看，測試儀默認同時顯示電壓電流波形，用戶仍可觸摸“電壓”或“電流”來單獨查看對應波形。

半導體器件雪崩能量測試儀TH530-25100A產品應用：

▮ 功率半導體的研發與制造

評估半導體器件的雪崩耐量，確保其能承受電路中感性負載關斷時產生的高壓尖峰，保證出廠質量的可靠性。例如：IGBT 、MOSFET、功率二極管。

▮ 電源設備設計與驗證

驗證設備在輸出短路等異常情況下，功率器件是否能承受因初級電感和大電流引起的雪崩能量而不損壞。例如：開關電源、逆變器等設備的功率器件。

▮ 新能源汽車與工業驅動

確保器件能應對電機啟動、堵轉等特殊工況下感性負載產生沖擊電流和電壓尖峰，確保系統安 全。例如：電機控制器（如變頻器、伺服驅動器）功率開關器件。